Preface

前言

背景與緣起

隨著半導體製程邁入奈米世代,晶片的失效分析面臨愈發嚴峻的挑戰。現有的聚焦離子束(FIB)系統受限於離子源技術,在解析度與樣品保護之間難以兼顧,成為一大技術瓶頸。為突破此一限制,前中央研究院物理研究所的張維哲博士與其核心團隊於2019年6月創立埃爾思科技,並取得中研院單原子針技術的專利授權。埃爾思科技進一步推動單原子離子光源的前期商業化發展,為新一代FIB系統的研發奠定關鍵基礎,期望有效提升奈米級失效分析的精度與效率。

埃爾思研發團隊於高雄BD天堂路募資溝通實況。(圖/誠研創新)
Achievements

亮點與成果

不能錯過的絕佳亮點

憑藉技術創新與卓越的商業潛力,埃爾思科技於 2020 年成功獲得高雄市政府 SBIR 計畫補助,投入探針量測系統相關耗材的研發。同年,更榮獲經濟部SBIR創業概念海選計畫明星組Stage 1的肯定,展現初創階段的技術潛力與市場前景。延續研發成果,埃爾思於2021年再度脫穎而出,獲得經濟部創新擇優Stage 2計畫中「技術創新突破類」補助,全國僅有14個案件入選,顯示其技術領先地位。 在KO-IN智高點「BD天堂路」陪跑輔導計畫的支持下,埃爾思更進一步獲得國發基金天使基金的投資,正式啟動新世代離子光源技術的商業化開發與應用推廣,並與國際FIB設備大廠展開合作,共同推動新一代FIB系統的研發與市場布局。

卓越成果一覽

單原子離子光源縮小至0.3奈米

傳統 FIB 的光源是液態金屬離子源,其光源尺寸約為50奈米,埃爾思成功研發光源尺寸僅有單顆原子大小(約0.3 奈米)的單原子離子光源,具有最高亮度,是世界最尖端的帶電粒子束光源科技,可突破 FIB 分辨率瓶頸,大幅改進 FIB 的材料移除分辨率。

奈米/微米探針製造技術突破

Nano Probing系統,是目前先進半導體製程中進行電性量測的重要工具,需要使用奈米尺度的金屬針尖對樣品進行接觸式量測,大量應用於研發與故障分析,奈米探針是此設備的主要耗材。當製程進入10奈米以下,所需要使用的探針規格要求越來越高,埃爾思能提供業界最高規格之奈米探針(針尖曲率半徑小於3奈米), 滿足 10 nm 以下製程故障分析,能勝任最先進半導體製程的故障分析需求。

客製化金屬尖針

埃爾思科技藉由獨家製針技術,可依客戶需求調整探針直徑、針尖曲率、針尖錐角,為客戶提供各種不同規格的金屬探針,適用多樣電性測試與點測應用,以滿足未來生產線上多樣化的點測需求。

埃爾思科技於2024年成立桃園研發暨生產中心,目標為量產奈米等級的探針供應全球半導體製造商在研發測試階段的晶圓缺陷品質檢測。(圖/誠研創新)
Conclusion

結語

埃爾思科技憑藉著傑出的科研技術,專注於創新研發,從學研出發、跨入全球半導體設備市場,成為少數能將學術科研成果成功商業化的新創企業,更是半導體產業的明星級科技公司與創新範例,同時也向全球展現台灣成功將學研成果轉化為實際商業化的實力。